每一步濕法清洗的后面都跟著去離子水的沖洗。清水沖洗具有從表面上去除化學(xué)清洗液和H12CA4890終止氧化物的刻蝕反應(yīng)的雙重功效。沖洗可用幾種不同的方法來實(shí)現(xiàn)。

   未來的焦點(diǎn)集聚在提高沖洗效果和減少水的用量上。在尺寸為50nm的器件上,每平方英寸硅片的水用量由目前的1.13×1σ1m3減少到7.57×10Jm3。

   高水平的工藝成品率是生產(chǎn)性能可靠的芯片并獲得收益的關(guān)鍵所在。本節(jié)將結(jié)合影響成品率的主要工藝及材料要素對主要的成品率測量點(diǎn)做出闡述。對于不同電路規(guī)模和成品率測量點(diǎn)的典型成品率也在本節(jié)中列出。