當一塊芯片上同時有幾個測試結構在做應力測試而產生明顯的焦耳熱時,在估M0280SC250算測試結構的溫度時,必須考慮相互之間的熱效應。如果失效模式規(guī)定為電阻值的增加,而當測試結構失效時流過的電流值不會變化,則在以后的測試中在芯片上會產生明顯的功耗,在這種情況下必須對各個測量值進行校正。如果失效判據用電阻值增加的百分比來表示,當測試結構的失效被檢測到以后,流過該結構電流被減少到一個可以忽略不計的值,在這種情況下各個測試結構的測量值不必進行校正。另一種測試結構是“十字型”開爾文電阻結構,如圖8.40所示。當對不同金屬間連接通孔的電遷移進行評價時,設計的開爾文電阻包括兩個“L”型電阻。這兩個電阻均由金屬層構成,位于所要測量的連接通孔處,使注入電流通過連接通孔從 另一層金屬端流出,通過另外兩個引出端測量電壓,以測量連接通孔的電阻值。測試時改變電流方向并取平均電壓可以減少熱失調現(xiàn)象。

    (a)連接通孔的單孔結構            (b)連接通孔的多fL結構

    圖840 連接通孔的開爾文結構