有選擇地進(jìn)行剝層分析,稱為樣TJA1055T/3品制備過(guò)程。由于半尋體器件封裝材料和多層布線結(jié)構(gòu)的不透明性,對(duì)大部分失效分析問(wèn)題,必須采用解剖分析技術(shù).實(shí)現(xiàn)芯片表面和內(nèi)部的可觀察性和可探測(cè)性。IC失效分析樣品制備技術(shù)主要包括開(kāi)封、去鈍化層、去層間介質(zhì)、去金屬或多晶硅等。為觀察芯片內(nèi)部缺陷,經(jīng)常需要采用剖切面技術(shù)和染色技術(shù)。

   (l)去鈍化層技術(shù):主要有化學(xué)方法和等離子體刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕去鈍化層�；瘜W(xué)方法簡(jiǎn)單,缺點(diǎn)是缺之材料選擇性和各向同性腐蝕;反應(yīng)離子刻蝕法具有一定的材料選擇性和各向異性腐蝕,分析實(shí)驗(yàn)室多用反應(yīng)氣體為CF+O去除鈍化層和層間介質(zhì)。

   (2)為成功到達(dá)失效位置.時(shí)常需要去除金屬化層,或各種介質(zhì)層。剖切面技術(shù)、研磨和拋光及染色技術(shù)等,許多文獻(xiàn)中均洎∷洋盡的報(bào)道。