在芯片級(jí)失效分析實(shí)驗(yàn)室,透射電鏡樣品制備最常用的是機(jī)械研磨和離子轟擊減薄法。 SC806IMLTRT樣品用機(jī)械研磨到足夠薄的厚度時(shí),再佐以離子減薄技術(shù)作進(jìn)一步的減薄和表面清潔。在FIB沒(méi)問(wèn)世及廣泛應(yīng)用前,TEM由于其昂貴的價(jià)格和極其困難的定點(diǎn)試樣制備技術(shù),限制了TEM在IC失效分析中的應(yīng)用。隨著商用FIB,尤其是場(chǎng)發(fā)射雙束FIB的問(wèn)世,ΠB方法被廣泛用于透射電鏡樣品制各、尤其對(duì)定點(diǎn)失效樣品的制備起著革命性的推動(dòng)作用。隨著集成電路向深亞微米尺寸發(fā)展,某些關(guān)鍵尺寸,已經(jīng)精確到納米甚至幾埃,SEM的分辨率已經(jīng)不能滿足超細(xì)微結(jié)構(gòu)特征描述要求,TEM已經(jīng)成為現(xiàn)代IC失效分析實(shí)驗(yàn)室的日常觀測(cè)工具。遺憾的是,聚焦離子束轟擊樣品表面對(duì)樣品表面造成的不可避免的損傷,離子損傷引起的薄膜試樣表面非晶化,減弱TEM觀察時(shí)的襯度�，F(xiàn)在先進(jìn)的低加速電壓FIB,加速電 壓從常規(guī)的30kV可調(diào)到5kV。深亞微米先進(jìn)制程中引入的低介電常數(shù)、多孔介質(zhì),在TEM制樣時(shí),尤其容易受到離子損傷,低加速電壓FIB的問(wèn)世,極大地緩解了這一問(wèn)題。