傳統(tǒng)的芯片封裝制造工藝

   芯片由晶圓切割成單獨(dú)的顆粒后,再經(jīng)過(guò)芯片封裝過(guò)程即可單獨(dú)應(yīng)用。 OB2358

   本章介紹基本傳統(tǒng)的芯片封裝制造工藝流程。

   減薄(Back GHnd)

   芯片依I藝要求,需有一定之厚度。應(yīng)用研磨的方法,達(dá)到減薄的目標(biāo)。研磨的第一步為粗磨,目的為減薄芯片厚度到目標(biāo)值(一般研磨后的厚度為250~300um,隨著芯片應(yīng)用及封裝方式的不同會(huì)不一樣)。第二步為細(xì)磨,目的為消減芯片粗磨中生成的應(yīng)力破壞層

(一般厚度為l~2um左右)。研磨時(shí)需有潔凈水(純水)沖洗,以便帶走研磨時(shí)產(chǎn)生的硅粉。

   若有硅粉殘留,容易造成芯片研磨時(shí)的破片或產(chǎn)生微裂紋,在后序的工藝中造成芯片破碎的良品率問(wèn)題及質(zhì)量問(wèn)題。同時(shí)需要注意研磨輪及研磨平臺(tái)的平整度,可能會(huì)增加芯片破片的機(jī)率(因?yàn)槠秸炔缓脮?huì)造成芯片破片)。研磨機(jī)內(nèi)部示意圖如圖19.1所示。