- 在從300 mm晶圓轉(zhuǎn)向450 mm晶圓的成本預(yù)計(jì)為2015/11/12 19:53:29 2015/11/12 19:53:29
- 在從300mm晶圓轉(zhuǎn)向450mm晶圓的成本預(yù)計(jì)為：制造區(qū)面積增大30u/o—100%，沒備HY29DL163TT-70成本增加20%～50%，“束流”設(shè)備（更長的加工時(shí)間）增加10%~30%和耗...[全文]
- 鋁銅合金2015/11/8 18:45:45 2015/11/8 18:45:45
- 鋁還會(huì)遭遇所謂電遷徙(electromigration)的問題。，在VLSI/ULSI電路中，HIP1011CB鋁導(dǎo)線比較細(xì)長，而且經(jīng)常承載很高的電流，這時(shí)就會(huì)發(fā)生問題。電流在導(dǎo)線內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)電...[全文]
- 金屬有機(jī)物CVD2015/11/7 22:24:35 2015/11/7 22:24:35
- 金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)是化合物CVD中較新的選擇之一。VPE是化合物淀積系統(tǒng)，GLP-401而MOCVD是指用于VPE和其他系統(tǒng)中的源。在MOCVD工藝中，淀積期望的原子和復(fù)雜的有機(jī)氣體...[全文]
- 定義PN結(jié)2015/11/6 19:31:27 2015/11/6 19:31:27
- 學(xué)習(xí)完本章后，你AD7548KP應(yīng)該能夠：1．定義PN結(jié)。2．畫出完整的擴(kuò)散工藝流程圖。3．列舉用在硅技術(shù)中的3種最常用摻雜劑。4．列舉3...[全文]
- 束流掃描2015/11/5 18:40:36 2015/11/5 18:40:36
- 離子束流比晶圓有更小的直徑（約為1cm）。若要以均勻摻雜覆蓋整個(gè)晶圓，AD7003AR就要用束流對(duì)晶圓掃描�？墒褂�3種方法：束流掃描、機(jī)械掃描和快門，可采用任意一種或多種組合。束流...[全文]
- 反差增強(qiáng)層2015/11/4 22:12:47 2015/11/4 22:12:47
- 光學(xué)投影系統(tǒng)的分辨率由于鏡頭和光線波長的限制，已經(jīng)接近極限。ADS7867IDBVR正是這兩個(gè)極限因素的存在，使得光刻膠的反差閾值(contrastthreshold)也變得很重要，由于使用紫外...[全文]
- 其他解決方案及其挑戰(zhàn)2015/11/3 19:54:15 2015/11/3 19:54:15
- 第8章已針對(duì)圖形分辨率和曝光光線波長的關(guān)系做了詳細(xì)說明。一般來講，NCP305LSQ09T1如果想要得到尺寸更小的圖形，就需要使用波長更短的光源。然而，這將導(dǎo)致景深的縮短。在0.5ym以下的工藝...[全文]
- 電子束或直寫2015/11/3 19:43:12 2015/11/3 19:43:12
- 電子束光刻是一種成熟的技術(shù)，它被用來圖10.5x射線曝光系統(tǒng)制作高質(zhì)量的掩模版和放大掩模版。該系統(tǒng)（見圖10.6）主要包括能產(chǎn)生小直徑電子束的發(fā)射器和一個(gè)控制電子束開關(guān)的抑制器。習(xí)10.6電子束...[全文]
- 光刻膠的存儲(chǔ)和控制2015/10/30 22:29:12 2015/10/30 22:29:12
- 光刻膠是一種精細(xì)的高科技混合物。它們的生產(chǎn)是高精度的。一旦一種光刻工藝被開發(fā)，ADA4860-1YRJZ-RL7它的持續(xù)成功是靠對(duì)工藝參數(shù)日復(fù)一日的控制和產(chǎn)生恒定的光刻膠產(chǎn)品。提供光刻膠批與批之...[全文]
- 氧化源2015/10/29 20:21:52 2015/10/29 20:21:52
- 干氧：當(dāng)氧氣被用做氧化劑時(shí)，它由廠房設(shè)施供應(yīng)或由靠近氣體柜的壓縮氧氣罐供應(yīng)。OP285GS氣體必須是干燥的，不能有水分。，氧氣中的水分可以加快氧化速度，使得氧化層厚度超出規(guī)定范圍（例如，out-...[全文]
- 非常薄的MOS柵極氧化生長是高壓氧化工藝的候選2015/10/29 20:20:46 2015/10/29 20:20:46
- 非常薄的MOS柵極氧化生長是高壓氧化工藝的候選。薄氧化層必須要結(jié)構(gòu)完整（沒有孔等）。OP179GRT足夠強(qiáng)的電介質(zhì)可以防止在柵區(qū)的電荷積累。在高壓氧化中生成的柵極比在常壓時(shí)生成的柵極絕緣性強(qiáng)24...[全文]
- 高壓氧化2015/10/29 20:19:21 2015/10/29 20:19:21
- 熱預(yù)算問題推動(dòng)r高壓氧化的發(fā)展。晶圓中位錯(cuò)的生長和在晶圓表面層中開f】的邊緣二是由于氰產(chǎn)生的錯(cuò)位高溫氧化的麗個(gè)問題。在第一種情況下，位錯(cuò)OP113F造成r器件性能的各種問題；在第二種情況下，表面...[全文]
- 器件絕緣體（MOS柵）2015/10/28 20:44:24 2015/10/28 20:44:24
- 從另一個(gè)角度講，感應(yīng)現(xiàn)象就是MOS技術(shù)。在一個(gè)MOS晶體管中，K4H561638H-UCB3柵極區(qū)會(huì)長一層薄的二氧化硅（見圖7.4）。如果柵上沒有電荷，在源漏之間沒有電流流過（見第16章）。但是...[全文]
- 晶圓中測(cè)2015/10/25 17:50:49 2015/10/25 17:50:49
- 在晶圓制造完成之后，STM8S003F3P6接下來是·步1E常重要的測(cè)試步驟：晶圓中測(cè)這步測(cè)試是晶圓牛產(chǎn)過程的報(bào)告+-存測(cè)試過程中，檢測(cè)每一個(gè)芯片的電性能和電路功能晶圓中測(cè)又稱為芯片分選(dic...[全文]
- 電纜線路在隧道、管、溝內(nèi)敷設(shè)的要求2015/10/21 19:42:45 2015/10/21 19:42:45
- 電纜隧道、管、溝應(yīng)暢通，排水良好，金屬部分的防腐層完整，隧道內(nèi)照明，HDMP-1032AG通風(fēng)符合要求。電纜溝的砌筑應(yīng)考慮分段排水，溝底應(yīng)有良好的散水坡度，溝的蓋板一般用鋼筋混凝土蓋板，室內(nèi)經(jīng)常...[全文]
- 施工項(xiàng)目成本控制的方法較多2015/10/18 19:48:49 2015/10/18 19:48:49
- 施工項(xiàng)目成本控制的方法較多，可以從降低成本，增加收入兩方面著手，確保項(xiàng)目成本目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。①控制工程直接成本。EP1C4F324C6N工程直接成本主要是指在施工項(xiàng)目中發(fā)生的人工費(fèi)、材...[全文]
- 接觸電阻2015/10/14 19:58:01 2015/10/14 19:58:01
- 電氣連接中的接觸電阻是指兩個(gè)接觸導(dǎo)體在接觸部分產(chǎn)生的電阻，引起接觸電阻增加的原因有①電氣連接安裝工藝不當(dāng)。EP1K100FI484-2N在連接安裝過程中，錯(cuò)誤使用砂紙打磨連接體的接...[全文]
- 路燈桿內(nèi)裝有斷路器或熔斷器2015/10/13 21:08:12 2015/10/13 21:08:12
- ①路燈桿內(nèi)裝有斷路器或熔斷器，又接專用PE線，對(duì)桿內(nèi)發(fā)生的短路和碰桿起保護(hù)作用。EP1AGX90EF1152I6N配電柜內(nèi)的斷路器，計(jì)算和選型要正確，對(duì)桿內(nèi)電源引入處短路，碰桿均要起保護(hù)作用。...[全文]
- 導(dǎo)線截面積及類型的選擇2015/10/13 20:56:19 2015/10/13 20:56:19
- 照明系統(tǒng)的特點(diǎn)是線路較長，線路上的電流不一定很大。選擇電纜截面積時(shí)載流量的要求很容易得到滿足，而重點(diǎn)要考慮的是線路電壓降問題。EP1AGX60CF484C6N解決線路電壓降問題的方法就是適當(dāng)加大...[全文]
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