- soi技術2017/5/10 21:28:01 2017/5/10 21:28:01
- SOI(sclnInsulator)是指在絕緣襯底上異質外延硅獲得的外延材料。SOI是優(yōu)質的器件和集成電路材料。襯底絕緣,制作的電路采用介質隔離,因而具有寄生電容小、G20N50C1D速度快、抗...[全文]
- 硅的選擇外延技術需要氧化物表面具有高清潔度2017/5/9 22:17:53 2017/5/9 22:17:53
- 硅的選擇外延技術需要氧化物表面具有高清潔度,外延氣體中應含有一定劑量的氯原子(或氯化氫氣體分子)。氯原子的存在能提高硅原子的活性,LD39015M15R可以抑制硅原子在氣相和二氧化硅表面的成核。...[全文]
- 對生長速率有影響的其他因素2017/5/9 21:48:47 2017/5/9 21:48:47
- 對生長速率有影響的其他因素氣相質量傳遞過程的快慢還和外延反應器結構類型、氣體流速(流量)等因素有關;而表LD1117SC-R面外延過程還和硅襯底晶向有關,硅襯底晶向對外延生長速率也...[全文]
- 影響外延生長速率的因素2017/5/9 21:44:42 2017/5/9 21:44:42
- 外延置藝是受氣相質量傳遞過程和表面外延過程所控制的,所以外延生κ速率也就主要由這兩個過程中較慢的一方決定。溫度對生長速率的影響氣相質量傳遞過程的快慢主要由外延劑氣相擴...[全文]
- 基座表面氣流邊界層形成示2017/5/9 21:38:43 2017/5/9 21:38:43
- 外延氣體主要成分是氫氣.在T=⒛0℃時,有ρ=2,5×103釅cll1・,〃=⒛0×106釅(∞vω,v通常控制在幾十αVs,外延室內氣體的Rc只有⊥00左右,遠小于臨界雷諾數,因...[全文]
- 帶有多個電荷的空位濃度也類似2017/5/7 16:46:45 2017/5/7 16:46:45
- 帶有多個電荷的空位濃度也類似,正比于電子濃度對本征載流子濃度之比的若干次冪,冪次和GAL16V8D-15LPN電荷數相等,例如,-2價空位濃度為:空位缺陷叉稱為肖特基(s山ottk...[全文]
- 硅晶體的不同晶面、晶向性質有所差異,2017/5/7 16:42:00 2017/5/7 16:42:00
- 由硅的晶格結構及晶向、晶面特點可知,在E111彐晶向,原子分布最為不均勻,存在原G911T24子雙層密排面(111)。雙層密排面自身原子間距離最近,相比其他晶面結合最為牢固,晶面能也最低,化學腐...[全文]
- 硅的幾種常用晶面上原子2017/5/7 16:40:39 2017/5/7 16:40:39
- 實際上,E111彐晶向就是(1l1)晶面的法線方向,也可以用E111彐晶向來表示(111)晶面。G2R-2-DC12V同理,E100]晶向是(100)晶面的法線方向,E110]晶向是(110)晶...[全文]
- 批量復制和廣泛的用途2017/5/6 18:01:50 2017/5/6 18:01:50
- 雙極型晶體管芯片制造的主要工藝流程可知,用9個主要單項工藝步驟就能完成晶體管管芯的制造。NAT9914BPD只要縮小每個管芯尺寸,增大硅片面積,不需要增加工藝步驟,完成一次工藝流程制造出的管芯就...[全文]
- 集成電路所用材料必須“超純”,2017/5/6 17:59:54 2017/5/6 17:59:54
- 集成電路所用材料必須“超純”,這和工藝環(huán)境要求“超凈”相一致。超純材NANDA8R3N0AZBB5E料是指半導體材料(不包括專門摻入的雜質),其他功能性電子材料及工藝消耗品等都必須為高純度材料。...[全文]
- 晶體管制造工藝包含前工藝和后工藝兩部分2017/5/6 17:35:09 2017/5/6 17:35:09
- 晶體管制造工藝包含前工藝和后工藝兩部分。晶體管芯片工藝稱為晶體管制造前工藝,是集成NAC-30-472電路產品制造的特有工藝。晶體管芯片工藝完成之后,接下來的I藝稱為晶體管制造后工藝,如圖⒍1微...[全文]
- 選擇繼電器的觸點形式2017/5/5 21:10:11 2017/5/5 21:10:11
- (1)選擇繼電器的觸點形式由于P6SMBJ10CA-AX磁保持濕簧式繼電器中濕簧管的觸點有“先合后斷”與“先斷后合”兩種類型，在使用時應根據負載實際電路的需求來選用。(2)選擇電磁...[全文]
- 吸合電壓2017/5/5 20:37:52 2017/5/5 20:37:52
- (1)吸合電壓（電流）繼電器所GD75232PWR有觸點從釋放狀態(tài)到達工作狀態(tài)的所對應的電壓或電流的最小值（該電參量不能作為可靠工作值）。為了能夠使繼電器的吸合動作可靠，必須給線圈...[全文]
- 系統(tǒng)性能的提高并不需要全部用在提高系統(tǒng)信噪比2017/5/5 20:33:26 2017/5/5 20:33:26
- 隨著紅外探測技術的不斷發(fā)展,通過采用TDI延遲積分技術、高性能紅外焦平面探測器(高的比探測率D)、低溫光學技術等,當GD75232DBR前紅外光電探測系統(tǒng)的性能正在迅速提高。但是,從對目標的檢測...[全文]
- LED數碼管的檢測2017/5/5 20:31:44 2017/5/5 20:31:44
- 把黑表筆接LED數碼器的1腳，將電GD75232D池負極引出一條軟線，用軟線依次去接觸LED數碼器的其他引腳(2～10引腳)若只有軟線接觸3腳和8腳，LED數碼管某一筆段才發(fā)出光來，而接...[全文]
- FY-1光學系統(tǒng)設計2017/5/4 19:36:54 2017/5/4 19:36:54
- 主光學系統(tǒng)為⒛0mm口徑雙拋物面反射式望遠鏡結構。光學系統(tǒng)布局見圖5-31。從主光學系統(tǒng)出來的平行光束經紅外/可見光分束片D1分成兩束,反射后的紅外光束再由D3紅外分色片分光,Q3...[全文]
- 垂直探測通道2017/5/3 22:06:11 2017/5/3 22:06:11
- 垂直探測儀由光機、電子線M30620FCAFP路和電源等模塊組成。光機模塊由望遠鏡、掃描組件和探測器組成,全部安裝在衛(wèi)星外部的基板上,同時安裝太陽罩和百葉窗組件,以防輻射和進行熱控。電子線路模塊...[全文]
- 靜止軌道氣象衛(wèi)星2017/5/2 21:38:34 2017/5/2 21:38:34
- 靜止軌道氣象衛(wèi)星靜止軌道氣象衛(wèi)星又稱為高軌-地球同步軌道氣象衛(wèi)星,位于在赤道上空近笳,OCXlkm高度處,M2732AF6圓形軌道,軌道傾角為0°,繞地球一周需⒉h,衛(wèi)星公轉角速度...[全文]
- 擴散的簡單例子就如同除臭劑從壓力容器內釋放到房間內2017/4/30 19:50:47 2017/4/30 19:50:47
- 熱擴散是在1000cC左右的高溫下發(fā)生的化學反應，晶圓暴露在一定摻雜元素氣態(tài)下、擴G34N100E散的簡單例子就如同除臭劑從壓力容器內釋放到房間內，氣態(tài)下的摻雜原子通過擴散化學反應遷移到暴露的晶...[全文]
- 金屬罐法使用圓柱形的封裝體2017/4/29 12:34:30 2017/4/29 12:34:30
- 金屬罐法使用圓柱形的封裝體，其引腳排列延伸至基底，芯片連接在基底fi，芯片與跟外部引腳相連接的導柱之間完成線壓焊連接，、AD9708ARZRL頂蓋與基底相對稱的法蘭焊接在…起形成密封型封裝。這些...[全文]
熱門點擊
- 硅的幾種常用晶面上原子
- 硅晶體的不同晶面、晶向性質有所差異,
- 二氧化硅的理化性質及用途
- 光調制分為內調制和外調制兩種
- 電壓波動和閃爍的問題對策
- 流動燈光是采用流動的照明方式
- 穿心電容的結構及安裝
- 電視信號發(fā)生器
- 光電池的主要特性參數
- 影響外延生長速率的因素
IC型號推薦
- LT1963ES8-2.5
- LT1963ES8-2.5#PBF
- LT1963ES8-2.5#TR
- LT1963ES8-2.5PBF
- LT1963ES8-2.5-T2
- LT1963ES8-2.5TR
- LT1963ES8-2.5TRPBF
- LT1963ES825
- LT1963ES8-3.3
- LT1963ES8-3.3PBF
- LT1963ES8-3.3TR
- LT1963ES8-3.3TRPBF
- LT1963ES8PBF
- LT1963ES8TR
- LT1963ES8TRPBF
- LT1963EST
- LT1963EST-1.5
- LT1963EST-1.5PBF
- LT1963EST-1.8
- LT1963EST-1.8#TR
- LT1963EST-1.8#TRPBF
- LT1963EST-1.8PBF
- LT1963EST-1.8-T2
- LT1963EST1.8TR
- LT1963EST-1.8TR
- LT1963EST-1.8TRPBF
- LT1963EST2.5
- LT1963EST-2.5
- LT1963EST-2.5#PBF
- LT1963EST-2.5#TR
公網安備44030402000607
