- 餅式熱感應(yīng)APCVD2015/11/7 22:07:21 2015/11/7 22:07:21
- 餅式或垂直APCVD系統(tǒng)受到_『小型生產(chǎn)線和R&D實(shí)驗(yàn)室的鐘愛（見圖12.14）。G784RD1U在該系統(tǒng)中晶圓被放置在旋轉(zhuǎn)的石墨托架上，并通過托架下面的射頻線圈，以傳導(dǎo)感應(yīng)的方式給晶圓...[全文]
- 基本CVD系統(tǒng)構(gòu)成2015/11/7 21:58:14 2015/11/7 21:58:14
- CVD系統(tǒng)有著多種多樣的設(shè)計(jì)和配置。通過基本子系統(tǒng)的通用性分析，有助于對大部分CVl)系統(tǒng)多樣化的理解（見圖12.9）。大部分CVD系統(tǒng)的基本部分是相同的，G526-2P1UF如管式反應(yīng)爐（已在...[全文]
- 基本CVD系統(tǒng)構(gòu)成2015/11/6 19:45:27 2015/11/6 19:45:27
- CVD系統(tǒng)有著多種多樣的設(shè)計(jì)和配置。通過基本子系統(tǒng)的通用性分析，AD7549JN有助于對大部分CVl)系統(tǒng)多樣化的理解（見圖12.9）。大部分CVD系統(tǒng)的基本部分是相同的，如管式反應(yīng)爐（已在第7...[全文]
- 晶圓電荷積累2015/11/5 18:37:43 2015/11/5 18:37:43
- 高束流離子注入的一個(gè)問題是晶圓表面所帶電荷（晶圓帶電）大到無法接受的程度。AD7001ES高強(qiáng)度束流攜帶大量正電荷，使晶圓表面充電。正電荷從晶圓表面、晶圓體內(nèi)和束流中吸引中和電子。高電壓充電可以...[全文]
- 三種不同淀積時(shí)間的典型2015/11/5 18:23:16 2015/11/5 18:23:16
- 淀積工藝受幾個(gè)因素控制或約束。一個(gè)因素是特定雜質(zhì)的擴(kuò)散率(diffusivity)。擴(kuò)散率AD6622AS計(jì)量的是雜質(zhì)在特定晶圓材料中的運(yùn)動(dòng)速率。擴(kuò)散率越高，雜在晶圓中的穿越越快。擴(kuò)散率隨溫度的...[全文]
- 圖形反轉(zhuǎn)2015/11/4 22:10:42 2015/11/4 22:10:42
- 在曝光小尺寸圖形時(shí)，ADS7866IDBVR我們傾向于使用正膠，這一點(diǎn)茌前面已經(jīng)討論過了。其中一個(gè)原因就是正膠適于使用暗場掩模版做孔洞。暗場掩模版大部分被鉻覆蓋，因?yàn)殂t不會像玻璃一樣易損，所以缺...[全文]
- 拋光速度2015/11/4 22:02:53 2015/11/4 22:02:53
- 生產(chǎn)中考慮的首要參數(shù)是拋光速度，ADS7862Y影響拋光速度的因素有很多。上面描述的拋光墊的參數(shù)、磨料漿的種類和磨粉尺寸、磨料漿的化學(xué)成分，這些都是主要的因素。還有拋光墊壓力、旋轉(zhuǎn)速度；磨料漿的...[全文]
- 多層光刻膠或表面成像2015/11/3 20:08:55 2015/11/3 20:08:55
- 目前有很多種多層光刻膠工藝。NCP305LSQ45T1藝的選擇取決于光刻膠需要打開的圖形尺寸和晶圓表面形貌。盡管多層光刻膠工藝增加了額外的工藝步驟，但在某些場合它是唯一能達(dá)到規(guī)定圖形尺寸...[全文]
- 防反射涂層2015/11/3 20:04:15 2015/11/3 20:04:15
- 防反射涂層(ARC)是在涂光刻膠之前在晶圓表面涂的一層物質(zhì)，用來幫助光刻膠小圖形成像（見圖10.23）。防反射涂層對成像過程有幾點(diǎn)幫助：NCP305LSQ27T1第一，平整晶圓表面，這樣可以使光...[全文]
- 刻蝕率2015/11/2 21:00:13 2015/11/2 21:00:13
- 等離子體系統(tǒng)的刻蝕率由…系列因素來決定。系統(tǒng)設(shè)計(jì)和化學(xué)品是其中兩個(gè)因素。EL1881CN其他因素是離子濃度和系統(tǒng)壓力。離子濃度（離子數(shù)／cm3）是供給電極電能的一個(gè)函數(shù)（電能供應(yīng)配置在第12章中...[全文]
- 刻蝕工序的另一個(gè)目標(biāo)是保護(hù)被刻蝕層下的表面2015/11/2 20:36:52 2015/11/2 20:36:52
- 刻蝕工序的另一個(gè)目標(biāo)是保護(hù)被刻蝕層下的表面。如果晶圓的下層表面被部分刻蝕掉，ECX-7700-XEN則器件的物理尺寸和電性能會發(fā)生改變。與保護(hù)表面相關(guān)的刻蝕工藝的性質(zhì)是選擇比(seleC-tiv...[全文]
- 刻蝕的目的和問題2015/11/1 19:10:29 2015/11/1 19:10:29
- 圖形復(fù)制的精度依靠幾個(gè)工藝參數(shù)。它們包括：不完全刻蝕、過刻蝕、鉆蝕、選擇比LE78D110BVC和側(cè)邊的各向異性／各向同性刻蝕。不完全刻蝕是指表面層還留在圖形孔中或表面上的情況（見...[全文]
- 在顯影檢驗(yàn)階段拒收的原因2015/11/1 19:05:19 2015/11/1 19:05:19
- 有很多原因可使晶圓在顯影檢驗(yàn)時(shí)被拒收。一般地，要找的僅是那些在當(dāng)前光刻掩膜步驟中增加的缺陷。LAN91C111-NS每一片晶圓都會帶有一些缺陷和問題，并且晶圓到達(dá)當(dāng)前步驟時(shí)有可接受的質(zhì)量，在這一...[全文]
- 噴霧式顯影2015/11/1 18:51:04 2015/11/1 18:51:04
- 噴霧式顯影：最受歡迎L3037QN-B6的化學(xué)顯影方法是噴霧式的。事實(shí)上，通常有很多原因使噴霧式工藝對于任何濕法工藝（清潔、顯影、刻蝕）來講比沉浸式工藝更受歡迎。例如，用噴霧式系統(tǒng)可大大降低化學(xué)...[全文]
- 負(fù)光刻膠顯影2015/11/1 18:49:06 2015/11/1 18:49:06
- 在光刻膠上成功地使圖案顯影要依靠光刻膠的曝光機(jī)理．j負(fù)光刻膠暴露在光線下，L2B0786會有一個(gè)聚合的過程，它會阻止光刻膠在顯影液中分解。在兩個(gè)區(qū)域間有足夠高的分解率，使得聚合的區(qū)域光刻膠幾乎沒...[全文]
- 混合和匹配光刻機(jī)2015/11/1 18:35:09 2015/11/1 18:35:09
- 混合和匹配光刻機(jī)：較小幾KS8695PX何尺寸的成像十分昂貴。但幸好一個(gè)產(chǎn)品的掩模版組中只有某幾個(gè)關(guān)鍵層需要先進(jìn)的成像技術(shù)。對于先進(jìn)的電路，至少也有50%的非關(guān)鍵層【ioi。這些非關(guān)鍵層可以通過...[全文]
- 微波烘焙2015/10/31 19:34:26 2015/10/31 19:34:26
- 作為軟烘焙加熱源，EL5202IYZ微波具有紅外線加熱的優(yōu)點(diǎn)，而且由于微波所帶的能量更高，因此加熱速度更快。軟烘焙溫度在1分鐘內(nèi)就完全可以達(dá)到。簡短的時(shí)間適用于“載片器”軟烘焙。旋轉(zhuǎn)后，立刻將微...[全文]
- 垂直式反應(yīng)爐2015/10/29 20:11:50 2015/10/29 20:11:50
- 對于較大直徑晶圓，OM6357EL/3C3/5A水平式反應(yīng)爐是氧化設(shè)備的選擇”。，對于更大直徑的水平式反應(yīng)爐來講，也會有相應(yīng)的工藝問題。其中一個(gè)是如何保證氣流是層流狀態(tài)。層流狀態(tài)(...[全文]
熱門點(diǎn)擊
- 將JK觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T觸發(fā)器
- 漏電保護(hù)器的結(jié)構(gòu)和工作原理
- 熔斷器的額定電壓
- 普通風(fēng)力發(fā)電機(jī)至少需要3m/s的風(fēng)速才能
- 1N4007的正向壓降為1.OV
- 刻蝕的目的和問題
- 三極管的輸出特性曲線
- 風(fēng)頻分為風(fēng)速頻率和風(fēng)向頻率
- 異丙醇( IPA)蒸氣蒸干法
- 光譜響應(yīng)波長范圍
IC型號推薦
- PMB6744FV1.0010
- PMB6744FV1.0011
- PMB6744FV1.0012
- PMB6744FV1.0013
- PMB6744FV1.002
- PMB6744FV1.003
- PMB6744F-V1.003
- PMB6744FV1.004
- PMB6744F-V1.004
- PMB6744FV1.005
- PMB6744FV1.006
- PMB6744FV1.007
- PMB6744FV1.008
- PMB6744F-V1.008
- PMB6744FV1.009
- PMB6744F-V1.009
- PMB6744HV1.006
- PMB6752
- PMB67521.504
- PMB6752E V1.4
- PMB6752EV 1.6
- PMB6752EV1.4
- PMB6752E-V1.44
- PMB6752EV1.605
- PMB6752EV1605
- PMB6752E-V1605
- PMB6752PQAS
- PMB6754F
- PMB6754F V1.201
- PMB6754F V1.605
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