確定失效原因的物理分析(PFA).通常需要包含樣品制備和觀測兩部分。在失效分析TMS320F28015PZA時,常需一系列、不止一次的樣品制備、觀察・直到引起失效的缺陷顯現(xiàn)并被確證為止。最常用的樣品制備技術(shù),剝層和剖面.HB定點切割在前面章節(jié)已有詳細(xì)介紹。觀察技術(shù),則是利用一些不同的顯微鏡,即微分析技術(shù)來完成的。

   微分析技術(shù)系指利用一系列技術(shù)/原理,分析那些超過人眼分辨率的微小物理尺寸的物體的表面形貌、元素含董與形態(tài)的技術(shù)。在集成電路失效分析中,常用的微分析技術(shù)有以光子束作為人射柬的光學(xué)顯微鏡、X射線光電子能譜,以電子束為入射束的掃描電f顯微鏡、 透射電子顯微鏡、俄歇電子能譜和X射線微分析技術(shù).以離子束為人射束的聚焦離子束(FIB)、二次離子質(zhì)譜以及掃描探釗技術(shù),如掃描隧道顯微鏡、原子力顯微鏡、掃描電容顯微鏡、掃描熱顯微鏡、掃描近場顯微鏡和原f力探針等。

   微分析技術(shù)在集成電路失效診斷及材料表征中都起著不可或缺的作用,是分析實驗室最基本也是應(yīng)用最廣的設(shè)備之一。

   雖然各類文獻中報道的微分析技術(shù)種類及名稱繁多,但是所有的微分析技術(shù)的物理原理和設(shè)備的主要成分/部件卻是類似的。光學(xué)顯微鏡有著悠久的歷史,在生物、醫(yī)學(xué)、丁業(yè)、研究均有廣泛的應(yīng)用。1925年德圍物理學(xué)家德布羅意提出物質(zhì)微觀粒子的波動論后.用電子聚焦成像的學(xué)科(電子光學(xué))便得到迅速發(fā)展9根據(jù)物質(zhì)的波粒工向性,利用電子、離子或光子(可視為一次粒子)人射束入射到閻體樣品表面上,利用人射束勹樣品相互作用,激發(fā)出二次粒子,同樣有電f、離子或光子等二次粒子出射:如二次電子、背散射電子、俄歇電子和二次離子等,也可以同時產(chǎn)生特征X射線和韌致輻射,并激發(fā)出陰極熒光等。這些帶有樣品面信息的出射粒子經(jīng)相應(yīng)的探測器接收、分析、即可得到樣品的圖像(形貌)和譜(組分)。