yield Iearning的關(guān)鍵因素
發(fā)布時(shí)間:2017/11/20 19:56:52 訪問次數(shù):750
由于現(xiàn)在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)復(fù)雜度高,”eld learning第一個(gè)要素是缺陷觀測(cè)能力(obscrvabdity)。 SD6271
參考表17.1,典型的45nm產(chǎn)品single Via1的數(shù)目在10g的量級(jí)。對(duì)于I藝而言,缺陷密度的要求很高,ppm(百萬分之一)量級(jí)的失效率是不可接受的,即使到了ppb(十億分之一)的量級(jí),也無法實(shí)現(xiàn)童產(chǎn)(一個(gè)Via1已經(jīng)有10%的yiCld loss,所有的AA,P°ly,Contact,Metal,Via加起來,產(chǎn)品yie1d將非常低)。量產(chǎn)要求失效率在O.1ppb的量級(jí)。
而對(duì)于Tcst Vehicle1而言,基本只能用于檢測(cè)Via Rc正常與否,幾乎沒有缺陷捕獲能力(yield幾乎總是100%)。而通常認(rèn)為測(cè)試結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜的Tcst Vehicle2,也僅在極端情況下(又寸于產(chǎn)品是excursion)才能觀測(cè)到失效。對(duì)于隨機(jī)缺陷觀測(cè)能力較強(qiáng)的Tes1Vehicle3,復(fù)雜度已經(jīng)超過產(chǎn)品,Vial個(gè)數(shù)達(dá)到了5×10:。圖17。⒛給出了Test vehic1e2 和Test vehide3的Observability curve。
由于現(xiàn)在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)復(fù)雜度高,”eld learning第一個(gè)要素是缺陷觀測(cè)能力(obscrvabdity)。 SD6271
參考表17.1,典型的45nm產(chǎn)品single Via1的數(shù)目在10g的量級(jí)。對(duì)于I藝而言,缺陷密度的要求很高,ppm(百萬分之一)量級(jí)的失效率是不可接受的,即使到了ppb(十億分之一)的量級(jí),也無法實(shí)現(xiàn)童產(chǎn)(一個(gè)Via1已經(jīng)有10%的yiCld loss,所有的AA,P°ly,Contact,Metal,Via加起來,產(chǎn)品yie1d將非常低)。量產(chǎn)要求失效率在O.1ppb的量級(jí)。
而對(duì)于Tcst Vehicle1而言,基本只能用于檢測(cè)Via Rc正常與否,幾乎沒有缺陷捕獲能力(yield幾乎總是100%)。而通常認(rèn)為測(cè)試結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜的Tcst Vehicle2,也僅在極端情況下(又寸于產(chǎn)品是excursion)才能觀測(cè)到失效。對(duì)于隨機(jī)缺陷觀測(cè)能力較強(qiáng)的Tes1Vehicle3,復(fù)雜度已經(jīng)超過產(chǎn)品,Vial個(gè)數(shù)達(dá)到了5×10:。圖17。⒛給出了Test vehic1e2 和Test vehide3的Observability curve。
熱門點(diǎn)擊
- 橢圓偏光法的基本原理
- 透射電子顯微鏡的幾種電子像分析
- 光學(xué)鄰近效應(yīng)修正
- 濕法清洗機(jī)臺(tái)及其沖洗和干燥技術(shù)
- 低溫離子注入
- 金屬濕法刻蝕
- 電子束與固體的相互作用
- 缺陷――隨機(jī)性和系統(tǒng)性缺陷
- 殘留原子、離子污染物的去除(SC2):
- 傳統(tǒng)的芯片封裝制造工藝
推薦技術(shù)資料
- PCB布線要點(diǎn)
- 整機(jī)電路圖見圖4。將電路畫好、檢查無誤之后就開始進(jìn)行電... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究