- 晶體管的工作原理2012/5/8 20:32:50 2012/5/8 20:32:50
- 晶體管內(nèi)部的工作原理很簡(jiǎn)單，如圖1.4所示，對(duì)基極PS2707-1與發(fā)射極之間流過(guò)的電流進(jìn)行不斷地監(jiān)視，并控制集電極發(fā)射極間電流源使基極一發(fā)射極間電流的數(shù)十至數(shù)百倍（依晶體管的種類而異）的電流流在集...[全文]
- 熱學(xué)性能對(duì)可靠性的影響與控制2012/5/7 19:44:58 2012/5/7 19:44:58
- 外殼熱學(xué)性能對(duì)聲表面波LMX2330器件可靠性的影響主要有：(1)外殼材料的熱膨脹系數(shù)匹配熱膨脹系數(shù)不匹配會(huì)使聲表面波器件外殼底座和帽或蓋板的尺寸與裝配關(guān)系發(fā)生變化，熱變形產(chǎn)生的額外應(yīng)力，將成為...[全文]
- 外引線材料要求2012/5/7 19:37:12 2012/5/7 19:37:12
- 聲表面波器件的外引線材料的LM3430SD質(zhì)量缺陷會(huì)引起斷腿、銹蝕、可焊性差、突發(fā)性脆斷及內(nèi)引線脫落等失效模式。為了控制這些失效模式，對(duì)外引線應(yīng)作如下質(zhì)量控制：①用X光衍射方法或用電子顯微鏡對(duì)材料...[全文]
- PPM技術(shù)2012/5/7 19:31:26 2012/5/7 19:31:26
- PPM技術(shù)用于對(duì)成批生產(chǎn)產(chǎn)品的平均A1943質(zhì)量和可靠性進(jìn)行評(píng)份，綜合反映產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造水平。(1)PPM的基本含義和PPM標(biāo)準(zhǔn)PPM的全稱為PartsPerMillion，即用百萬(wàn)分之...[全文]
- 濾波器結(jié)構(gòu)的選擇2012/5/6 15:00:09 2012/5/6 15:00:09
- 聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)很多，各種結(jié)構(gòu)濾2SK2605波器的工作原理、性能特點(diǎn)等不盡相同，應(yīng)根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)要求合理選擇濾波器的結(jié)構(gòu)�？傮w來(lái)講，濾波器結(jié)構(gòu)分為橫向聲表面波濾波器和聲表面波諧振型濾波器兩類。...[全文]
- 沖片絕緣處理2012/5/5 19:22:25 2012/5/5 19:22:25
- 沖片的絕緣處理是指使沖片表面具有一定PC357N4T的絕緣電阻值的工藝處理方法，它的作用是使沖片疊壓成鐵心后片間互相絕緣，以減小鐵心磁路中的渦流損耗。通常使用涂漆絕緣處理、磷化絕緣處理、氧化絕緣處理...[全文]
- 零部件的質(zhì)量控制要求2012/5/2 19:32:58 2012/5/2 19:32:58
- 零部件是構(gòu)成繼電器的最基本BTA41-800B的單元。繼電器是一種精密的機(jī)電元件，零部件的加工質(zhì)量直接影響到繼電器性能的穩(wěn)定和可靠性。對(duì)繼電器零部件的質(zhì)量控制要求包括：①繼電器所使用的原材料必須...[全文]
- 可靠性設(shè)計(jì)程序2012/4/29 22:06:04 2012/4/29 22:06:04
- 可靠性設(shè)計(jì)程序連接器可靠性設(shè)計(jì)是連接器研制JW2SN-DC24V過(guò)程的中心工作，并與傳統(tǒng)研制過(guò)程（設(shè)計(jì)一控制一驗(yàn)證一評(píng)審）并行進(jìn)行。連接器的可靠性設(shè)計(jì)程序是根據(jù)其產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)復(fù)雜程度、性能要求高低、...[全文]
- 干法腐蝕中的損傷效應(yīng)及其工藝控制要求2012/4/27 19:49:14 2012/4/27 19:49:14
- 物理干法腐蝕是非選擇性的腐蝕，是一種碰撞過(guò)程，屬定向刻蝕，它包括2SC3425反應(yīng)離子刻蝕和化學(xué)一物理干法腐蝕，它們都是以等離子體為基礎(chǔ)的腐蝕方法，對(duì)制造微米級(jí)精細(xì)結(jié)構(gòu)更為關(guān)鍵。反應(yīng)離子刻蝕會(huì)引起器...[全文]
- 熱學(xué)設(shè)計(jì)2012/4/26 19:52:21 2012/4/26 19:52:21
- 半導(dǎo)體器件，尤其是功率器件FR107由于熱電效應(yīng)，在使用中易造成器件局部過(guò)熱而燒毀，為此必須特別重視熱學(xué)設(shè)計(jì)，通過(guò)熱設(shè)計(jì)可對(duì)失效模式實(shí)施有效的控制，熱設(shè)計(jì)應(yīng)包括以下三個(gè)內(nèi)容：①通過(guò)版圖和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，...[全文]
- 金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MESFET)2012/4/26 19:28:42 2012/4/26 19:28:42
- MESFET與JFET的主要區(qū)別是用金屬STM32F103R6T6A半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘代替PN結(jié)作為柵結(jié)，形成單向?qū)щ姷恼鹘佑|。它可以用硅材料制造，但更多的是用GaAs或其他Ⅲ-V族混晶化...[全文]
- 健壯設(shè)計(jì)2012/4/24 20:01:06 2012/4/24 20:01:06
- 美國(guó)國(guó)防部文件DODI5000.2“防務(wù)系FDS3692統(tǒng)采辦的政策與程序”附錄中，財(cái)健壯設(shè)計(jì)給出定義如下：“健壯設(shè)計(jì)是一種設(shè)計(jì)方法，它使所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)的性能對(duì)于制造過(guò)程的波動(dòng)或其工作環(huán)境（包括維護(hù)、...[全文]
- CMOS中P阱和N阱抗閉鎖能力的比較2012/4/23 19:52:32 2012/4/23 19:52:32
- 在目前流行的P阱和N阱CMOS工藝中，N阱CMOS工藝具有PI5C3390QEX更強(qiáng)的抗閉鎖能力。由于N阱襯底的多子為電子，而P阱襯底的多子為空穴，體內(nèi)的電子遷移率比空穴遷移率約高3.2倍(體內(nèi)的電...[全文]
- 采用重?fù)诫s襯底上外延生長(zhǎng)輕摻雜層2012/4/23 19:50:57 2012/4/23 19:50:57
- 采用重?fù)诫s襯底上外延生長(zhǎng)輕摻雜層，以減少寄SII3132CNU生電阻，可以有效地提高寄生晶閘管的維持電流和觸發(fā)電流。對(duì)于P阱情況，可提高5倍以上；采用外延襯底，不僅大大降低了襯底電阻值，而且使原來(lái)可...[全文]
- 多數(shù)載流子的保護(hù)環(huán)2012/4/23 19:46:59 2012/4/23 19:46:59
- 多數(shù)載流子保護(hù)環(huán)是通過(guò)減小多數(shù)載流子UT2301G電流產(chǎn)生電壓降來(lái)達(dá)到防止閉鎖效應(yīng)發(fā)生作用的。因此，多數(shù)載流子保護(hù)環(huán)是向襯底材料中擴(kuò)散相同類型雜質(zhì)構(gòu)成的。例如，N阱內(nèi)擴(kuò)散N+，或在P型襯底上擴(kuò)散P+...[全文]
- 模擬結(jié)果2012/4/23 19:27:57 2012/4/23 19:27:57
- 進(jìn)行集成電路可靠性模擬的目的是MFI341S2162為了在設(shè)計(jì)階段就能對(duì)集成電路的可靠性有一個(gè)基本的評(píng)價(jià)，以優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高集成電路的可靠性。通常用“環(huán)形振蕩器頻率的變化（與未加應(yīng)力前相比）來(lái)作為電路老...[全文]
- 電路級(jí)可靠性模擬器2012/4/23 19:24:14 2012/4/23 19:24:14
- 電路級(jí)可靠性模HA22006擬器RELY的結(jié)構(gòu)如圖2.49所示，并有以下特點(diǎn)：①與SPICE2/SPICE3兼容。②容易對(duì)退化模型升級(jí)或增加新退化模型。③考慮了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電路老化效應(yīng)。...[全文]
- ESD失效分析2012/4/22 17:04:44 2012/4/22 17:04:44
- ESD失效可能是永久性的，也可能是潛在的。永久性的ESD失效UC3842與由于硅中的局部發(fā)熱引起的材料損壞有關(guān)，可能是因?yàn)榻饘倩ミB失效，也可能是由于CMOS柵介質(zhì)失效。潛在的ESD失效引起電路性能的退...[全文]
- 設(shè)計(jì)規(guī)則2012/4/22 17:01:59 2012/4/22 17:01:59
- 在設(shè)計(jì)時(shí)，對(duì)于輸入、輸出端口，必須遵循KA3843一定的ESD規(guī)則。例如，在靠近柵的漏端容易產(chǎn)生ESD功率耗散。在ESD發(fā)生時(shí)，這一區(qū)域變成一個(gè)熱源，并且可以擴(kuò)散到接觸孔。如果接觸孔到結(jié)的距離不是足...[全文]
- 輸出ESD保護(hù)2012/4/22 16:44:48 2012/4/22 16:44:48
- 多數(shù)用于輸入端的ESD保護(hù)電路OB2263AP可以用于輸出PAD的保護(hù)。輸出管腳的電壓鉗位要求相對(duì)來(lái)說(shuō)比較寬松。因?yàn)槎鄶?shù)ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)并不是直接連接到CMOS柵的。另外一方面，由于多數(shù)輸出級(jí)是大尺寸...[全文]
熱門點(diǎn)擊
- 2.4GHz天線設(shè)計(jì)
- 放大電路電壓放大倍數(shù)的測(cè)量
- 列狀態(tài)轉(zhuǎn)換真值表
- 常見的脈沖波形
- 三點(diǎn)式LC振蕩器
- D觸發(fā)器
- 集成運(yùn)放的電壓傳輸特性
- 不可重復(fù)觸發(fā)和可重復(fù)觸發(fā)
- 典型的層次型拓?fù)淇刂品椒?/a>
- 集成運(yùn)放的保護(hù)措施
IC型號(hào)推薦
- VC7450ALZ10017.664MHZ
- VC7450ALZ10035.328000MH
- VC7450A-LZ-100-35.328MHZ
- VC74677
- VC7510-PBC
- VC7690DJ
- VC7690PJ
- VC7696
- VC7696PJ
- VC80E.2E684M-TSC
- VC-81376HCF5-WN1
- VC815323
- VC818695
- VC819261
- VC-82559CGN7-001-H6
- VC82C325 V1-3 A3
- VC8332042E01
- VC835
- VC8410
- VC8410-PGC
- VC8410PQC
- VC8410-PQC
- VC8410-PQC 05
- VC8410-PQC04
- VC8410PQC05
- VC8410-PQC05
- VC8410-PQC-05
- VC8ATA1VJ224M
- VC910513501
- VC935114
公網(wǎng)安備44030402000607
