- 常用的方法是大家熟知的RCA清洗2017/11/6 21:17:32 2017/11/6 21:17:32
- 常用的方法是大家熟知的RCA清洗,它是由RCΛ公司(美國廣播公司)的Kern和Puotincn于1970年發(fā)布,S912XDP512J1CAG一直沿用至今。其特點有兩步:①標(biāo)準(zhǔn)清洗液1(SC1)...[全文]
- 不定形碳圖形化的多晶硅柵刻蝕的前饋控制2017/11/5 17:19:34 2017/11/5 17:19:34
- 圖8.58顯示的是基于不定形碳掩膜多晶硅柵刻蝕的前饋控制示意圖。由于最QT2032A2-ES終柵的CD是一個決定CMOS器件特性的關(guān)鍵參數(shù),它的控制激發(fā)r21世紀(jì)初期APC的應(yīng)用。在過去的十年中...[全文]
- 晶邊刻蝕和晶邊上潛在的缺陷源2017/11/5 17:14:56 2017/11/5 17:14:56
- 如圖8,57(a)所示,在晶邊刻蝕中,遮擋盤用來實現(xiàn)除去晶邊邊部分(最大到1mm寬)。QT2022C2遮擋盤比晶圓本身小幾個毫米,可以保護(hù)晶圓的絕大部分不被刻蝕。圖8.57(b)顯示的是可能的缺...[全文]
- 硅和鍺硅在去膠過程中的損失引起了很大關(guān)注2017/11/5 16:55:37 2017/11/5 16:55:37
- 在通用器件開發(fā)期閘,硅和鍺P89LPC935FA硅在去膠過程中的損失引起了很大關(guān)注,這個損失主要是由去膠時襯底的再次氧化造成的。高劑量離子注入去膠,在不會對光刻膠和殘余物去除能力有不良影響的前提...[全文]
- 灰化工藝壓力對R的影響2017/11/4 11:54:59 2017/11/4 11:54:59
- 圖8.41還表明高壓(HP)灰化工藝比低壓(I'P)I藝得到更為圓弧的形狀。圖8.42它們相應(yīng)的R‘性能。M/F39R2低壓灰化比高壓灰化顯示出更為收斂的R‘分布,這個現(xiàn)象是由于壓灰化對通孔底部...[全文]
- 變頻器可以安裝在低壓配電盤內(nèi)2017/11/3 22:14:14 2017/11/3 22:14:14
- 在實際工程應(yīng)用中，變頻器常用于風(fēng)機(jī)、水泵等頻繁起停的負(fù)載，對于不同容量的負(fù)載，變頻器的容量、體積、安裝、控制方式不同。BLM18EG101TN1在實際應(yīng)用中，變頻器可以安裝在低壓配...[全文]
- 淺槽隔離(sTI)刻蝕2017/11/2 20:26:16 2017/11/2 20:26:16
- 淺槽隔離Ⅱ用來將構(gòu)成器件的部件分離丌,在0.18um工藝屮,它已經(jīng)代替了器件制造巾的I'ΘCOs(硅的局域氧化)隔離技術(shù)。在淺槽隔離刻蝕中,M74HC126RM13TR精確地控制淺槽隔離CD、溝...[全文]
- 空問信息的直接模型驗證不可避免地導(dǎo)致高維輸出2017/11/2 20:05:39 2017/11/2 20:05:39
- 圖8.8描述在37mTorr壓力下,=種不同的線圈設(shè)計時電子溫度和O;密度的模擬結(jié)果。VP101X12CQC-1一般來說,(汀是光刻膠的主刻蝕劑之一。正離子密度分布取決于沉積功率、壓力和反應(yīng)器的...[全文]
- 光刻膠偏向線2017/11/1 19:33:30 2017/11/1 19:33:30
- 這張表的線寬數(shù)據(jù)僅供示意用,不過,它們代表的信息是準(zhǔn)確的。如果我們選擇第二行:線寬為100nm,O480-VX3WH-LF它隨著槽寬的增加而減小.至刂達(dá)一個最小值后叉逐漸恢復(fù)一點,最后穩(wěn)定在較大...[全文]
- 正向模型的精確度有賴于大量的試驗以及分析2017/11/1 19:30:41 2017/11/1 19:30:41
- 盡管逆光刻有很多優(yōu)點,我們也看到,它也有一定的局限性:(1)它的作用發(fā)揮有賴于精確的正向模型。O19.66080MHZ-JCO-8-3-B(2)正向模型的精確度有賴于...[全文]
- 逆光刻比起傳統(tǒng)的“照明條件優(yōu)化十鄰近效應(yīng)修正2017/11/1 19:27:54 2017/11/1 19:27:54
- (1)它不需要基于先前的對使用照明條件、掩膜版圖形優(yōu)化的經(jīng)驗而制定的規(guī)則。它只需要用戶給出所有關(guān)鍵地方的圖形尺寸規(guī)格,以定義代價函數(shù)。O1.5440-VX3MH-LF(2)它不需要...[全文]
- 電容器按結(jié)構(gòu)不同分為三類2017/10/28 10:29:58 2017/10/28 10:29:58
- 電容器種類很多,有多種分類方法,分別如下。(1)按結(jié)構(gòu)不同分類。電容器R060047300按結(jié)構(gòu)不同分為三類,即固定電容器、可變電容器、半可變(微調(diào))電容器。(2)按...[全文]
- 色標(biāo)法也稱為色環(huán)標(biāo)注法2017/10/28 10:25:38 2017/10/28 10:25:38
- 色標(biāo)法也稱為色環(huán)標(biāo)注法,是用不同顏色的色環(huán)把電阻器的參數(shù)(標(biāo)稱阻值和允許誤差)直接標(biāo)注在電阻器表面上的一種方法。小功率電阻器尤其是0.5W以下的碳膜和金屬膜電阻器大多數(shù)使用色標(biāo)法。...[全文]
- 對準(zhǔn)、套刻精度2017/10/28 10:14:50 2017/10/28 10:14:50
- 對準(zhǔn)(a1ignment)指的是層與層之間的套準(zhǔn)。一般來講,層與層之間的套刻(ovcd刂)精度需要在硅片關(guān)鍵尺寸(最小尺寸)25%~30%左右。RTL8212F-GR在這里將討論以下幾個方面:套...[全文]
- 設(shè)計一個窗口比較電路2017/10/27 21:21:13 2017/10/27 21:21:13
- 通過實驗,學(xué)習(xí)窗口比較器的設(shè)計方法,體會調(diào)試方法在電路設(shè)計中的重要性,掌握窗口比較器的設(shè)計思想。設(shè)計題目Z8FMC04100AKSG設(shè)計一個窗口比較電路,要求:...[全文]
- 輸入電阻的測量方法2017/10/27 21:19:46 2017/10/27 21:19:46
- 場效應(yīng)管放大器的靜態(tài)工作點、電壓放大倍數(shù)和輸出電阻的測量方法,與實驗Z8FMC04100AKEG二中晶體管放大器的測量方法相同。其輸人電阻的測量,從原理上講,也可采用實驗二中所用的方法,但由于場...[全文]
- 其他改善線寬均勻性的方法2017/10/26 21:24:14 2017/10/26 21:24:14
- 改進(jìn)光刻機(jī)的狹縫照明均勻性、像差、焦距及找平控制、平臺同精度以及溫度控制精度;SC1004CS改進(jìn)掩膜版線寬的均勻性;改善襯底,減小襯底對光刻的影響(包括增加對焦深度,改進(jìn)抗反射層)等。其中,4...[全文]
- 其他改善線寬均勻性的方法2017/10/26 21:24:13 2017/10/26 21:24:13
- 改進(jìn)光刻機(jī)的狹縫照明均勻性、像差、焦距及找平控制、平臺同精度以及溫度控制精度;SC1004CS改進(jìn)掩膜版線寬的均勻性;改善襯底,減小襯底對光刻的影響(包括增加對焦深度,改進(jìn)抗反射層)等。其中,4...[全文]
- 光刻膠垂直方向的形貌也發(fā)生變化2017/10/25 21:23:42 2017/10/25 21:23:42
- 圖7.13(a)中,灰色的圖形代表光刻膠(正性光刻膠)經(jīng)過曝光和顯影后的橫斷面形貌。TA7508隨著曝光能量的不斷增加,線寬變得越來越小。隨著焦距的變化,光刻膠垂直方向的形貌也發(fā)生變化。先討論隨...[全文]
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